发明名称 |
一种栅源侧台保护的晶体管功率器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种栅源侧台保护的晶体管功率器件,包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层,所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层;所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上,并且,所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上,作为所述多晶硅的上保护层;所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面,作为所述多晶硅层的下保护层;所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和源电极之间,用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极。本发明对栅源之间具有保护作用,防止短路,增加栅源绝缘性能,结构简单,工艺也较简单,产率较高。 |
申请公布号 |
CN102254943B |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201110224494.8 |
申请日期 |
2011.08.06 |
申请人 |
深圳市稳先微电子有限公司 |
发明人 |
王新 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种栅源侧台保护的晶体管功率器件,包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层,其特征在于;所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层;所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上,并且,所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上,作为所述多晶硅的上保护层;所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面,作为所述多晶硅层的下保护层;所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和所述源电极之间,用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极。 |
地址 |
518000 广东省深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场二期东座1002室 |