| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上沉积形成任意厚度的金属层；不做任何处理，直接移除衬底上的金属层，在衬底表面留下混合层；以及执行退火，使得混合层转变为金属硅化物层。依照本发明的半导体器件制造方法，利用厚金属层在沉积过程中形成的均匀混合层作为金属源，退火形成了超薄且均匀的金属硅化物，克服了为制备超薄金属硅化物而沉积特定厚度金属层中均匀性差的缺点，有效地提高超小尺寸器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103165430A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110425474.7 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上沉积形成任意厚度的金属层；直接移除衬底上的金属层，在衬底表面留下自限制厚度的混合层；以及执行退火，使得混合层转变为金属硅化物层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||