发明名称 | 多区部的喷头组件 | ||
摘要 | 本发明的实施例提供一种可使用MOCVD及/或HVPE硬件来沉积III族氮化物膜的方法与设备。在一个实施例中,该设备是由多个区部组成的喷头组件,所述区部彼此隔离且接附到顶板。各个喷头区部具有分离的入口和通路,以输送分离的处理气体到处理腔室的处理空间内,而不会在所述处理气体进入该处理空间之前造成所述气体混合。在一个实施例中,各个喷头区部包括温度控制岐管,该温度控制岐管用于使冷却流体能流动通过各自的喷头区部。相较于传统上从单一块体或多个层叠板来制造的整个喷头,通过提供多个隔离的喷头区部,可显著地减少制造复杂性与成本。 | ||
申请公布号 | CN103168343A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201180049982.8 | 申请日期 | 2011.08.24 |
申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 唐纳德·J·K·奥尔加多 |
分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
主权项 | 一种喷头组件,包括:顶板,所述顶板具有通过所述顶板形成的多个第一气体通路与多个第二气体通路;和多个隔离的喷头区部,所述喷头区部接附到所述顶板,其中各个所述喷头区部具有第一气体岐管,所述第一气体岐管形成在各个所述喷头区部中且流体连通于所述第一气体通路中的一个第一气体通路,其中各个所述喷头区部具有第二气体岐管,所述第二气体岐管形成在各个所述喷头区部中且流体连通于所述第二气体通路中的一个第二气体通路。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |