发明名称 | 芯片电性侦测装置及其形成方法 | ||
摘要 | 本发明是一种芯片电性侦测装置及其形成方法,其根据转换基板的特征,决定出一补强结构的结构,并将转换基板、补强结构以及一基板相耦接以形成芯片电性侦测装置。在一实施例中,电性侦测装置包括一基板、一转换基板、一探针模块以及一补强结构。该转换基板的一表面上具有与该基板相耦接的复数个第一导电体,该转换基板的另一表面上具有复数个第二导电体。该探针模块具有分别与该复数个第二导电体电性连接的复数个探针。该补强结构设置于该转换基板与该基板之间。 | ||
申请公布号 | CN103163445A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201210479017.0 | 申请日期 | 2012.11.22 |
申请人 | 旺矽科技股份有限公司 | 发明人 | 李忠哲;吴坚州;詹益明 |
分类号 | G01R31/28(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
主权项 | 一种芯片电性侦测装置,其特征在于,包括:一基板;一转换基板,其具有一第一表面以及与该第一表面相对应的第二表面,该第一表面上具有复数个第一导电体,该复数个第一导电体分别与该基板相耦接,该第二表面上具有复数个第二导电体;一探针模块,其具有复数个探针,该复数个探针分别与该复数个第二导电体电性连接;以及一补强结构,其设置于该转换基板与该基板之间。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县 |