| 发明名称 | PMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成至少一层硅锗层，硅锗层的表面低于半导体衬底表面或与半导体衬底表面平齐；对硅锗层进行氧化处理，在硅锗层表面形成氧化层，以消耗硅锗层中的硅；去除硅锗层表面的氧化层。本发明实施例提供的PMOS晶体管的形成方法，提高了硅锗层中锗的浓度，提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103165448A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110406861.6 | 申请日期 | 2011.12.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩;张彬 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成至少一层硅锗层，硅锗层的表面低于半导体衬底表面或与半导体衬底表面平齐；对硅锗层进行氧化处理，在硅锗层表面形成氧化层，以消耗硅锗层中的硅；去除硅锗层表面的氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||