发明名称 |
用于电流传感器的磁电阻集成芯片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片,该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元,每一个所述芯片单元为多层膜结构,每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层;补偿导线层、磁电阻元件和软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层,绝缘层的形状与补偿导线层、磁电阻元件和软磁层的形状匹配;4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的,该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形;4N个芯片单元的磁电阻元件相同,4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。所述磁电阻集成芯片的优点为:尺寸由厘米量级缩小为毫米量级;制作成本明显降低;产品的一致性较好;对外磁场的抗干扰能力明显增强。 |
申请公布号 |
CN203011980U |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201220547975.2 |
申请日期 |
2012.10.24 |
申请人 |
无锡乐尔科技有限公司 |
发明人 |
王建国 |
分类号 |
G01R15/00(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R15/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京正理专利代理有限公司 11257 |
代理人 |
张文祎 |
主权项 |
用于电流传感器的磁电阻集成芯片,其特征在于,该磁电阻集成芯片包括4N个结构相同的芯片单元,N=1,2,3,4…,每一个所述芯片单元为多层膜结构,每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层; 所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层,所述绝缘层的形状与所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层的形状匹配; 所述4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的,该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形; 所述4N个芯片单元的磁电阻元件相同,所述4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区204室 |