半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成微晶半导体膜，使得在所述微晶半导体膜中的氧浓度小于或等于1×1017atoms/cm3；以及在所述微晶半导体膜上形成缓冲层，使得在所述缓冲层中的氧浓度小于或等于5×1019atoms/cm3，所述微晶半导体膜通过连续地或不连续地将成膜条件从第一成膜条件改变成第二成膜条件来形成，其中所述第二成膜条件的成膜速度高于所述第一成膜条件的成膜速度，其中，所述微晶半导体膜的侧边位于所述栅电极侧边之内，其中，所述缓冲层是非晶半导体膜，并且所述缓冲层在与用来形成所述微晶半导体膜的真空室不相同的真空室中形成，并在衬底温度为300℃以上且低于400℃的成膜条件下形成。