| 摘要 |
MOCVD법에 의해 고저항 버퍼층 및 창층(투명 도전막)을 연속하여 제막하고, 종래의 용액 성장법에 의한 제막방법과 동등한 출력 특성을 수득하는 동시에, 제막방법 및 장치를 간소화하여, 원재료비 및 폐기물 처리비를 삭감하여 제조 비용을 대폭 삭감한다. 유기 기판(1A)상에 금속 이면 전극층(1B), 광흡수층(1C)의 순으로 제막한 태양 전지 반제품 기판의 광흡수층(1C)상에 고저항 버퍼층(1D), 창층(1E)의 순서로 MOCVD법에 의해 연속적으로 적층 구조로 제막하기 때문에, 제막방법 및 장치가 간소화되어 원재료비 및 폐기물 처리비를 삭감할 수 있다. |
