发明名称 Integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung
摘要 Eine integrierte Schaltung umfasst ein Basiselement (1) und ein Kupferelement (2) über dem Basiselement (1), wobei das Kupferelement (2) eine Dicke von wenigstens 5 µm hat und ein Verhältnis einer mittleren Korngröße zur Dicke kleiner als 0,7 ist.
申请公布号 DE102012111831(A1) 申请公布日期 2013.06.13
申请号 DE201210111831 申请日期 2012.12.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DETZEL, THOMAS;GROSS, JOHANN;ILLING, ROBERT;KRUG, MAXIMILIAN;LANZERSTORFER, SVEN GUSTAV;NELHIEBEL, MICHAEL;ROBL, WERNER;ROGALLI, MICHAEL;WOEHLERT, STEFAN
分类号 H01L23/532;H01L21/768;H01L27/04 主分类号 H01L23/532
代理机构 代理人
主权项
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