Optoelektronischer Halbleiterchip

摘要

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und – die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.