| 摘要 |
<p>Verfahren zum Teilen eines Halbleiterwafers (10) mit einer Mehrzahl von Strassen (101), die an der vorderen Fläche (10a) in einer Gitterform gebildet sind, und mit einem Schaltkreis (102), der in einer Mehrzahl von Bereichen gebildet ist, welche durch die Mehrzahl der Strassen (101) geteilt sind, in einzelne Halbleiterchips, aufweisend: einen Bondierungsfilm-Anheftungsschritt zum Anheften eines Bondierungsfilms (11) für die Chipbondierung an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers (10); einen Schutzklebeband-Befestigungsschritt zum Befestigen eines dehnbaren Schutzklebebandes (14) an der Seite des Bondierungsfilms (11) des Halbleiterwafers (10) mit dem an dessen hinterer Fläche angehefteten Bondierungsfilm (11); einen Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers (10) in einzelne Halbleiterchips durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Strassen (101) von der vorderen Fläche des Halbleiterwafers (10), der an dem Schutzklebeband (14) befestigt ist, wobei der Bondierungsfilm (11), der an der hinteren Fläche des Halbleiterwafers (10) angeheftet ist, nicht gebrochen wird, weil der Laserstrahl den Bondierungsfilm (11) nicht erreicht; einen Bondierungsfilm-Aufbrechschritt zum Aufbrechen des Bondierungsfilms (11) für jeden Halbleiterchip durch Ausdehnen des Schutzklebebandes (14), um eine Zugkraft für den Bondierungsfilm (11) zu ergeben, wobei der Bondierungsfilm (11) infolge der auf ihn wirkenden Zugkraft aufgebrochen wird; und einen Halbleiterchips-Entfernungsschritt zum Entfernen der Halbleiterchips mit dem hieran befestigten, gebrochenen Bondierungsfilm (11) von dem Schutzklebeband (14).</p> |
