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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit einer photoempfindlichen Halbleiterschicht (2), wobei die photoempfindliche Halbleiterschicht (2) eine Dotierung mit einer ersten Dotierungsdichte (D1) von einem ersten Leitungstyp aufweist, die eine effektive Umwandlung von in die Halbleiterschicht (2) eindringender elektromagnetischer Strahlung in elektrische Ladungsträger bewirkt, mindestens zwei voneinander beabstandeten Modulationsgates (4A, 4B), die jeweils von einem sich von einer Oberfläche (3) der Halbleiterschicht (2) und senkrecht zu dieser Oberfläche (3) in die Halbleiterschicht (2) hinein erstreckenden Trenchgate gebildet werden, und mindestens zwei im Abstand zueinander und nahe der Oberfläche (3) zwischen den beiden Modulationsgates (4A, 4B) angeordneten Auslesedioden (5A, 5B). Um ein Halbleiterbauelement zur Entfernungserfassung mit verbesserten Eigenschaften hinsichtlich Sensitivität und Auflösung bereitzustellen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass zwischen den beiden Auslesedioden (5A, 5B) ein Trennimplantat (6) in die Halbleiterschicht (2) eingebracht ist, welches den gleichen Leitungstyp wie die Halbleiterschicht (2), jedoch eine zweite, höhere Dotierungsdichte (D2) aufweist. |
