发明名称 Vorrichtung mit zwei Leistungshalbleiterchips und Verfahren für ihre Herstellung
摘要 Eine Vorrichtung umfasst einen ersten Leistungshalbleiterchip mit einer ersten Kontaktstelle und einer zweiten Kontaktstelle auf einer ersten Fläche und einer dritten Kontaktstelle auf der zweiten Fläche. Die Vorrichtung umfasst ferner einen zweiten Leistungshalbleiterchip mit einer ersten Kontaktstelle und einer zweiten Kontaktstelle auf einer ersten Fläche und einer dritten Kontaktstelle auf der zweiten Fläche. Der erste und der zweite Leistungshalbleiterchip sind übereinander angeordnet und die erste Fläche des ersten Leistungshalbleiterchips ist in die Richtung der ersten Fläche des zweiten Leistungshalbleiterchips gewandt. Außerdem ist der erste Leistungshalbleiterchip seitlich zumindest teilweise außerhalb des Umrisses des zweiten Leistungshalbleiterchips angeordnet.
申请公布号 DE102012111788(A1) 申请公布日期 2013.06.13
申请号 DE201210111788 申请日期 2012.12.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 OTREMBA, RALF;HOEGLAUER, JOSEF;MAHLER, JOACHIM;LODERMEYER, JOHANNES
分类号 H01L25/07;H01L21/28;H01L21/60;H01L23/28;H01L23/522;H01L29/72;H01L29/772 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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