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<p>Ein Bildsensorpixel, das für die Verwendung in einer rückseitenbeleuchteten oder einem vorderseitenbeleuchteten Sensoranordnung geeignet ist, wird bereitgestellt. Das Bildsensorpixel kann ein kleines Pixel sein, das einen Sourcefolger umfasst, der unter Verwendung eines vertikalen Übergangsfeldeffekttransistors (JFET) implementiert ist. Der Vertikaler-JFET-Sourcefolger kann direkt in den Floating-Diffusion-Knoten integriert sein, wodurch überschüssige Metallführungen und Pixelflächen eliminiert werden, die bei herkömmlichen Pixelkonfigurationen typischerweise für den Sourcefolger zugewiesen sind. Pixelfläche kann stattdessen zugewiesen werden zum Erhöhen der Ladungsspeicherkapazität der Photodiode oder kann verwendet werden, um Pixelgröße zu reduzieren während Pixelleistungsfähigkeit beibehalten wird. Die Verwendung eines vertikalen–Übergangsfeldeffekttransistors auf diese Weise vereinfacht Pixeladressieroperationen und minimiert Zufallstelegraphsignal-(RTS-)Rauschen im Zusammenhang mit kleinen Metalloxid-Halbleiter-(MOS-)Transistoren.</p> |
