| 摘要 |
<p>Es wird ein Transistor hergestellt, indem eine Polysilicium-Gate-Zone über einer dotierten Zone eines Substrats entfernt wird und eine Maskenschicht über dem Substrat derart gebildet wird, dass die dotierte Zone durch eine Öffnung innerhalb der Maskenschicht frei liegt. Auf oberen und Seitenflächen der Maskenschicht und auf einer oberen Fläche der dotierten Zone wird eine Grenzschicht abgeschieden. Eine Schicht, welche dafür geeignet ist, eine Schwellenspannung des Transistors zu verringern und/oder eine Dicke einer Inversionsschicht des Transistors zu verringern, wird auf der Grenzschicht abgeschieden. Die Schicht weist Metall auf, z. B. Aluminium oder Lanthan, welches in die Grenzschicht diffundiert, und weist auch Oxid auf, z. B. Hafniumoxid. Innerhalb der Öffnung der Maskenschicht wird ein leitfähiger Stopfen, z. B. ein Metallstopfen, gebildet. Die Grenzschicht, die Schicht auf der Grenzschicht und der leitfähige Stopfen sind eine Ersatz-Gate-Zone des Transistors.</p> |
