| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤。提供源极及漏极。形成图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，并暴露出一部分源极及一部分漏极。形成氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。提供栅极。提供位于氧化物半导体层与栅极间的一栅介电层。在此亦提供一种薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103151389A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310076234.X | 申请日期 | 2013.03.11 |
| 申请人 | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 | 发明人 | 张锡明 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 胡晶 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，包含下列步骤：提供一源极及一漏极；形成一图形绝缘层局部覆盖该源极及该漏极，并暴露出部分该源极及部分该漏极；形成一氧化物半导体层接触该源极的该部分及该漏极的该部分；提供一栅极；以及提供位于该氧化物半导体层与该栅极间的一栅介电层。 | ||
| 地址 | 215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路555号 | ||