发明名称 |
一种BN-Si<sub>2</sub>N<sub>2</sub>O复合陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法,它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成;方法:一、称量;二、球磨制浆料;三、干燥制粉;四、预压成型;五、冷等静压处理;六、烧结处理,即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点:降低了制备成本高,提高了效率,降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。 |
申请公布号 |
CN103145112A |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201310106226.5 |
申请日期 |
2013.03.29 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
贾德昌;田卓;段小明;杨治华;叶书群;周玉;张培峰 |
分类号 |
C01B31/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/00(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
高会会 |
主权项 |
一种BN‑Si2N2O复合陶瓷,其特征在于BN‑Si2N2O复合陶瓷按体积百分比由15%~40%的非晶态纳米二氧化硅、5%~30%的氮化硅粉末和30%~80%六方氮化硼粉末制成;且其中所述氮化硅粉末与非晶态纳米氧化硅的体积比小于1。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |