| 发明名称 | 扩展安全工作区的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种扩展安全工作区的半导体器件，包括：场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极和体电极；电势关联电路，所述场效应晶体管的体电极经由该电势关联电路与所述栅极相连，以使所述体电极的电势与所述栅极的电势相关联。本发明能够避免HCI效应引起的器件退化问题，并进一步扩展场效应晶体管的安全工作区，降低开启电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103151373A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310080572.0 | 申请日期 | 2013.03.13 |
| 申请人 | 胡勇海 | 发明人 | 胡勇海 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种扩展安全工作区的半导体器件，其特征在于，包括：场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极和体电极；电势关联电路，所述场效应晶体管的体电极经由该电势关联电路与所述栅极相连，以使所述体电极的电势与所述栅极的电势相关联。 | ||
| 地址 | 江苏省无锡市无锡新区万科金域缇香6幢1803室 | ||