| 发明名称 | 掩模板以及应用其进行浅沟道隔离结构制造的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种掩模板以及应用其进行浅沟道隔离结构制造的方法，在定义掩膜层图案前进行光学近似修正处理，在原有掩模板的长方形掩模开孔的四个角上各增加一个长方形的开孔。本发明提出的掩模板以及应用其进行浅沟道隔离结构制造的方法，其制造形成的浅沟道隔离结构有效地减少了器件的漏电现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101834157B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN200910047572.4 | 申请日期 | 2009.03.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 蒙飞;李志国;林竞尧;王培仁 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种用于制造浅沟道隔离结构的掩模板，其特征在于，该掩模板在掩模开孔的四角外侧开有四个与掩模开孔部分重合的长方形开孔，所述长方形开孔的宽度为50nm，长度为50nm～60nm，所述掩模开孔和其中任一长方形开孔的重合部分尺寸为15nm×15nm，所述掩模开孔两侧边的长度分别大于等于70nm和大于等于200nm，相邻两个掩模开孔之间的间距大于等于130nm，两个掩模开孔上相邻的两个长方形开孔上的相邻侧边间距大于等于30nm。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||