用于光刻设备的光学元件、包括这种光学元件的光刻设备以及制造该光学元件的方法

摘要

本发明公开了一种光刻设备，包括光学元件，所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层。所述光学元件具有大约20-500nm范围的元件厚度，并且在用EUV辐射垂直照射的条件下对波长范围为大约1-20nm的EUV辐射具有至少20％的透射率。定向的碳纳米管薄层本身可以用作光学元件，并且可以设计用以减少碎片和/或提高EUV与不想要的辐射的比值。薄层由于其强度不必需要支撑。本发明的光学元件可以是非支撑的。

主权项

一种光刻设备，包括光学元件，所述光学元件包括定向的碳纳米管薄层，所述光学元件具有20‑500nm范围内的元件厚度，并且在用EUV辐射垂直照射的条件下对波长范围为1‑20nm的EUV辐射具有至少20%的透射率，其中，所述光学元件还包括EUV透明材料粒子，其中所述EUV透明材料粒子分散在纳米管薄层内。