发明名称 |
制作接触孔的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制作接触孔的方法,包括下列步骤:提供一前端器件层;在前端器件层上面形成结构层;在结构层上面形成第一硬掩膜层;在第一硬掩膜层上面形成第二硬掩膜层;在第二硬掩膜层上面形成光刻胶层;以光刻胶层为掩膜,刻蚀第二硬掩膜层,从而将光刻胶层的图案转移到所述第二硬掩膜层上;去除具有所需图案的光刻胶层;在第一硬掩膜层以及第二硬掩膜层上形成一层反图案材料层;去除部分反图案材料层直至露出第二硬掩膜层,使反图案材料层的顶部与第二硬掩膜层的顶部平齐,形成具有图案的反图案材料层;去除第二硬掩膜层;将反图案材料层的图案转移到第一硬掩膜层上以及结构层上,形成接触孔;去除反图案材料层以及第一硬掩膜层。 |
申请公布号 |
CN102122633B |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201010022612.2 |
申请日期 |
2010.01.08 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
张力群;覃柳莎 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;顾珊 |
主权项 |
一种制作接触孔的方法,所述方法包括下列步骤,提供一前端器件层;在所述前端器件层上面形成需要在其中制作接触孔的结构层;在所述结构层上面形成第一硬掩膜层;在所述第一硬掩膜层上面形成第二硬掩膜层;在所述第二硬掩膜层上面形成一层具有所需图案的光刻胶层;以所述具有所需图案的光刻胶层为掩膜,刻蚀所述第二硬掩膜层,从而将所述光刻胶层的图案转移到所述第二硬掩膜层上,形成具有图案的第二硬掩膜层;去除所述具有所需图案的光刻胶层;在所述第一硬掩膜层以及所述具有图案的第二硬掩膜层上形成一层反图案材料层,所述反图案材料层的顶部高于所述具有图案的第二硬掩膜层的顶部;去除部分反图案材料层,直至露出所述具有图案的第二硬掩膜层为止,使所述反图案材料层的顶部与所述具有图案的第二硬掩膜层的顶部平齐,形成具有图案的反图案材料层;去除所述具有图案的第二硬掩膜层,使所述具有图案的反图案材料层中对应所述具有图案的第二硬掩膜层的位置形成开口;以所述具有图案的反图案材料层为掩膜,刻蚀所述第一硬掩膜层以及所述结构层,从而将所述反图案材料层的图案转移到所述第一硬掩膜层上以及所述结构层上,形成所述接触孔;去除所述反图案材料层以及所述第一硬掩膜层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |