发明名称 | 逆向热键合技术制作尺寸可控的微纳米流体系统 | ||
摘要 | 本发明公开了一种逆向热键合技术制作尺寸可控的微纳米流体系统的方法,首先在预处理过的光栅模板上涂覆一层SU-8光刻胶,通过逆向压印技术将图形复制到SU-8光刻胶上,然后根据各向界面间的粘附能不同的原理,使用UV胶带将固化的SU-8光刻胶揭下来,图形成功转移到柔性UV胶带上。另取一Si片旋涂一层薄SU-8光刻胶形成封装层Si基底,将上述制得的SU-8胶图形结构层覆盖在Si基底上,经逆向热键合技术制得微纳米流体系统。本发明将压印技术与键合技术融合在一起,工艺操作简单,无需高温高压,且通道尺寸可控,不易出现堵塞。制造成本低,利于大面积生产。 | ||
申请公布号 | CN103145089A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
申请号 | CN201210394199.1 | 申请日期 | 2012.10.01 |
申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 王旭迪;涂吕星;刘玉东;陶伟;王时飞 |
分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种逆向热键合技术制作尺寸可控的微纳米流体系统的方法,其特征是首先在预处理过的光栅模板上涂覆一层SU‑8光刻胶,通过逆向压印技术将图形复制到SU‑8光刻胶上,然后根据各界面间的粘附能不同的原理,使用UV胶带将固化的SU‑8光刻胶揭下来,图形成功转移到柔性UV胶带上。另取一Si片旋涂一层薄SU‑8光刻胶形成封装层Si基底,将上述制得的SU‑8胶图形结构层覆盖在Si基底上,经逆向热键合技术制得微纳米流体系统。 | ||
地址 | 230009 安徽省合肥市屯溪路193号 |