| 发明名称 | 一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明属于显示技术领域，具体的涉及一种薄膜晶体管阵列基板制备方法、薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其中，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。该薄膜晶体管阵列基板制备方法，减少了采用构图工艺形成像素电极层的步骤，减少了掩模板的使用量，提高像素电极形成材料的利用率，同时降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103151305A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310064170.1 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孔祥永;刘晓娣;成军;陈江博 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 罗建民;陈源 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其特征在于，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||