一种栅极刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种栅极刻蚀方法，在刻蚀晶片的多晶硅层之前，根据晶片中STI高度范围，设置STI高度范围对应的最小栅极主刻蚀时间，及在STI高度范围内各个STI高度对应的栅极过刻蚀时间，该方法包括：测量所述晶片STI高度；以所设置的最小栅极主刻蚀时间主刻蚀多晶硅层；由STI高度确定对应的栅极过刻蚀时间后；采用栅极过刻蚀时间过刻蚀剩余的多晶硅层形成栅极。本发明采用最小栅极主刻蚀时间进行主刻蚀，采用各个STI高度对应的栅极过刻蚀时间进行过刻蚀，从而得到符合栅极特征尺寸要求的栅极，克服了终点检测中STI高度造成的主刻蚀时间差异无法由固定的过刻蚀时间弥补的问题，增强了栅极特征尺寸的稳定性。

主权项

一种栅极刻蚀方法，其特征在于，应用于在衬底上具有浅沟槽隔离和多晶硅层的晶片，设置晶片的浅沟槽隔离高度范围对应的最小栅极主刻蚀时间，设置在所述浅槽隔离高度范围内各个浅槽隔离高度对应的栅极过刻蚀时间；所述设置晶片的浅沟槽隔离高度范围对应的最小栅极主刻蚀时间的过程为：制作多个具有浅沟槽隔离和多晶硅层的测试样片，所述不同测试样片的浅槽隔离高度不同且都在设置的浅沟槽隔离高度范围内；分别采用终点检测技术对所述测试样片的多晶硅层进行主刻蚀，并分别记录主刻蚀时间，将其中记录的最小主刻蚀时间作为所设置晶片的浅沟槽隔离高度范围对应的最小栅极主刻蚀时间；所述设置在所述浅槽隔离高度范围内各个浅槽隔离高度对应的栅极过刻蚀时间的过程为：设置多组具有浅沟槽隔离和多晶硅层的测试样片，不同组测试样片的浅槽隔离高度不同且都在设置的浅沟槽隔离高度范围内，同一组测试样片的浅槽隔离高度相同；对于每组测试样片，采用所设置的浅沟槽隔离高度范围对应的最小栅极主刻蚀时间进行多晶硅层的主刻蚀后，分别采用设置的不同过刻蚀时间过刻蚀剩余的多晶硅层得到栅极；分别测量所得到栅极的特征尺寸，选取其中符合设定栅极特征尺寸的测试样片，将该测试样片的过刻蚀时间作为该组测试样片的浅槽隔离高度对应的栅极过刻蚀时间；该方法包括：测量晶片的浅沟槽隔离高度，确定所述晶片的浅沟槽隔离高度所在的晶片的浅沟槽隔离高度范围，采用对应的最小栅极主刻蚀时间进行多晶硅层的刻蚀；采用所述晶片的浅沟槽隔离高度对应的栅极过刻蚀时间，对剩余的多晶硅层进行过刻蚀，得到栅极。