| 发明名称 | 一种同时实现DDMOS和LDMOS漂移区的工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种同时实现DDMOS和LDMOS漂移区的制作工艺，该工艺步骤包括：提供至少一个第一类型的第一阱区，用于制作DDMOS器件；提供至少一个第一类型的第二阱区，用于制作LDMOS器件；每一所述第一阱区和第二阱区均包括与第一类型相反的两个注入区，将制作DDMOS器件区域用掩膜保护，同时对制作LDMOS器件区域的注入区刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽形成内衬氧化层；对制作DDMOS器件的区域和制作LDMOS器件的区域退火形成漂移区。本发明解决了传统工艺中DDMOS和LDMOS不能同时进行漂移区制作的问题，减少了工序步骤，降低了工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102386131B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201010271195.5 | 申请日期 | 2010.09.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘正超 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种同时实现DDMOS和LDMOS漂移区的制作工艺，该工艺步骤包括：提供至少一个第一类型的第一阱区，用于制作DDMOS器件；提供至少一个第一类型的第二阱区，用于制作LDMOS器件；每一所述第一阱区和第二阱区均包括与第一类型相反的两个注入区，其特征在于，还包括以下步骤：将制作DDMOS器件的区域用掩膜保护，同时对制作LDMOS器件的区域的所述注入区刻蚀形成浅沟槽；在所述浅沟槽形成内衬氧化层；对所述制作DDMOS器件的区域和所述制作LDMOS器件的区域退火形成漂移区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||