| 发明名称 | 快速热处理中控制晶片温度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明了一种快速热处理中控制晶片温度的方法，包括在第一时间段内将所述晶片自然升温；在第一时间段结束后，在第二时间段内使晶片加速升温；其特征在于，所述第二时间段内使晶片温度上升速度的变化率在-1.5℃/s2至-1.2℃/s2之间。优选地，所述第二时间段内晶片温度上升速度的变化率为-1.2℃/s2。根据本发明的升温控制方法，可以有效地消除尖峰现象，提高晶片的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102054656B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN200910197947.5 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 温传敬;元琳 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种快速热处理中控制晶片温度的方法，包括：在第一时间段内将所述晶片自然升温；在第一时间段结束后，在第二时间段内使晶片加速升温；其特征在于，所述第二时间段为5秒，所述第二时间段的起始温度为490℃，所述第二时间段内使晶片温度上升速度的变化率在‑1.5℃/s2至‑1.2℃/s2之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||