| 发明名称 | 纳米线异质外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102040191B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN200910209480.1 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 北京邮电大学 | 发明人 | 任晓敏;黄辉;郭经纬;叶显;王琦;蔡世伟;黄永清 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人 | 朱黎光 |
| 主权项 | 一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，所述方法包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。 | ||
| 地址 | 100876 北京市海淀区西土城路10号 | ||