热电堆传感器及其制造方法

摘要

一种用于探测测量波长范围(λm)中的红外辐射(IR)的热电堆传感器(8)，具有：传感器衬底(1)，在其中构成空穴(5)；在传感器衬底(1)上在空穴(5)上方构成的薄膜(10)；至少一个在薄膜(10)上、内或下构成的热电堆结构，其具有至少一个由两个相互触头接通的热电极(11，13)组成的热电偶(7)，两个热电极(11，13)由具有不同塞贝克系数的掺杂半导体材料构成；至少一个在热电极(11，13)之间构成的隔绝中间层(12)。按照本发明，在空穴(5)上方构成层系(19，20)，它至少包括热电极(11，13)和中间层(12)并对测量波长范围(λm)内的红外辐射(IR)在吸收部分红外辐射(IR)和至少部分地减少反射的情况下形成多射线干涉。

主权项

用于探测测量波长范围（λm）内的红外辐射（IR）的热电堆传感器（8），它具有：传感器衬底（1），在该传感器衬底中构成了空穴（5），在传感器衬底（1）上在空穴（5）上方构成的薄膜（10），至少一个在薄膜（10）上面、内部或下面构成的热电堆结构，所述热电堆结构具有至少一个由两个相互触头接通的热电极（11，13）组成的热电偶（7），其中，这两个热电极（11，13）由具有不同塞贝克系数的掺杂的半导体材料构成，至少一个在热电极（11，13）之间构成的隔绝的中间层（12），其中，在下面的该空穴（5）的上方构成一个层系（19，20），该层系至少包括所述两个热电极（11，13）并且包括所述至少一个隔绝的中间层（12）以及包括一个在所述至少两个热电极（11，13）上方构成的上隔绝层，并且，该层系对于测量波长范围（λm）内的红外辐射（IR）在吸收部分红外辐射（IR）和至少部分地减少反射的情况下形成多射线干涉，其中，该层系（19，20）还包括至少两个另外的辅助层（15，16），它们在所述上隔绝层（14）的上方构成，所述至少两个另外的辅助层（15，16）具有不同的层厚度。