| 发明名称 | 用于半导体器件的电网结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于半导体器件的电网结构及其制造方法。本发明的一个实施例提供一种半导体结构，其包括：在电介质层内形成的第一导电材料的插塞；具有底部和侧壁的第二导电材料的过孔，其中所述底部和所述侧壁被导电衬里覆盖，并且所述底部被直接形成在所述插塞的顶部上且通过所述导电衬里而与所述过孔接触；以及第三导电材料的一个或多个导电路径，其通过在所述过孔的所述侧壁处的所述导电衬里而连接到所述过孔。还提供制造该半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101930965B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201010206364.7 | 申请日期 | 2010.06.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 王平川;李伟健;R·G·菲利皮 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：在电介质层内形成的第一导电材料的插塞；具有底部和侧壁的第二导电材料的过孔，所述底部和所述侧壁被导电衬里覆盖，所述底部被直接形成在所述插塞的顶部上且通过所述导电衬里而与所述插塞接触；以及第三导电材料的一个或多个导电路径，其通过在所述过孔的所述侧壁处的所述导电衬里而连接到所述过孔。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||