发明名称 微带电路全波分析方法
摘要 本发明提出一种基于改进的MDA-SVD压缩表示的微带电路全波分析方法。该方法首先对待分析的目标建立八叉树结构,通过MDA-SVD方法获得离散电场积分方程形成的稠密阻抗矩阵中对应于远场作用部分的稀疏低秩表示,然后将阻抗矩阵中低秩表示的部分用改进的MDA-SVD方法表示出来。最后基于改进的MDA-SVD方法表示,构造一种适用于迭代求解的快速计算矩阵矢量乘的算法。该微带电路全波分析方法在传统MDA-SVD方法的基础上,构建新的压缩格式来表示阻抗矩阵,由此可以有效地降低内存需求和计算复杂度,缩短计算时间。
申请公布号 CN103150415A 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201210547828.X 申请日期 2012.12.14
申请人 中国科学院深圳先进技术研究院 发明人 胡小情;钟耀祖;刘新
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人 宋鹰武
主权项 一种微带电路全波分析方法,其特征在于,所述微带全波分析方法包括以下步骤:步骤S1、采用八叉树数据结构对剖分后的三维目标模型进行分组,用一个立方体将所述三维目标包围住,所述立方体为第零层的第一个且是最后一个组结点,把所述立方体等分为八个子立方结点形成第一层结点,再对每个子立方体进行与上一步相同的细分,并以此类推直到最底层立方体的电尺寸达到所需合适的大小为止;步骤S2、根据步骤S1得到的三维目标八叉树结构,首先进行Morton编码,然后将每个立方体相邻的立方体组设定为近场区组,之后设定远场区,所述远场区为包含所述立方体的父层立方体区域的近场区域中除掉本层区域的近场区组;步骤S3、根据步骤S2分组,采用传统的MDA‑SVD方法对阻抗矩阵远作用子块进行低秩表示,根据立方体电尺寸的大小,在其表面设置等效源,利用等效源对阻抗矩阵的远作用子块进行低秩表示,获得低秩子块表示,并直接计算阻抗矩阵的近作用子块;步骤S4、利用改进的MDA‑SVD方法对所述低秩子块表示进一步压缩处理,得到阻抗矩阵的压缩表示,所述压缩处理包括对每一个非空子组构造对应的基矩阵及根据所述基矩阵构造对应耦合矩阵;步骤S5、根据所述阻抗矩阵改进的MDA‑SVD表示,构造阻抗矩阵与矢量相乘算法;步骤S6、求解步骤S5中的阻抗矩阵方程,得到模型表面电流系数,并且根据电流系数得到目标表面的电流分布,从而得到目标的各种电磁特性参数。
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号