发明名称 含钼靶材
摘要 本发明涉及包括50原子%或更多钼、第二金属元素钛及第三金属元素铬或钽的溅射靶材,以及由所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面,所述溅射靶材包括一富钼相、一富钛相及一富第三金属元素相。
申请公布号 CN103154306A 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201080068769.7 申请日期 2010.07.01
申请人 H·C·施塔克公司 发明人 G·A·罗扎克;M·E·盖多斯;P·A·霍根;S·孙
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23F1/14(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人 张海文
主权项 一种溅射靶材,包括:i)占所述溅射靶材原子总数大约40原子%或更多的钼;ii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更多的钛;及iii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更多的第三金属元素,其中所述第三金属元素是钽或铬;因此所述溅射靶材可用于制造含有合金的沉积膜,所述合金包括钼、钛和第三金属元素。
地址 美国马萨诸塞州