发明名称 | 含钼靶材 | ||
摘要 | 本发明涉及包括50原子%或更多钼、第二金属元素钛及第三金属元素铬或钽的溅射靶材,以及由所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面,所述溅射靶材包括一富钼相、一富钛相及一富第三金属元素相。 | ||
申请公布号 | CN103154306A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
申请号 | CN201080068769.7 | 申请日期 | 2010.07.01 |
申请人 | H·C·施塔克公司 | 发明人 | G·A·罗扎克;M·E·盖多斯;P·A·霍根;S·孙 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23F1/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人 | 张海文 |
主权项 | 一种溅射靶材,包括:i)占所述溅射靶材原子总数大约40原子%或更多的钼;ii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更多的钛;及iii)占所述溅射靶材原子总数大约1原子%或更多的第三金属元素,其中所述第三金属元素是钽或铬;因此所述溅射靶材可用于制造含有合金的沉积膜,所述合金包括钼、钛和第三金属元素。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |