| 发明名称 | 存储结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种存储结构及其形成方法，其中该存储结构包括：衬底；形成在所述衬底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构相互平行，每个所述沟道结构在垂直于所述衬底的方向上包括交替堆叠的多层单晶半导体层和多层氧化物层，其中，至少一层所述氧化物层为单晶氧化物层；与所述多个沟道结构相互配合的多个栅结构，每个所述栅结构包括紧邻所述沟道结构的栅介质层和紧邻所述栅介质层的栅极层。本发明具有制备工艺简单、成本低、读写速度快、存储密度高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103151357A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310100415.1 | 申请日期 | 2013.03.26 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 刘立滨;王敬;梁仁荣 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种存储结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构相互平行，每个所述沟道结构在垂直于所述衬底的方向上包括交替堆叠的多层单晶半导体层和多层氧化物层，其中，至少一层所述氧化物层为单晶氧化物层；与所述多个沟道结构相互配合的多个栅结构，每个所述栅结构包括紧邻所述沟道结构的栅介质层和紧邻所述栅介质层的栅极层。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||