一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法

摘要

本发明公开了一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法，该方法包括：将InP衬底与UV粘膜键合，形成UV键合InP衬底；使用真空吸盘吸附该UV键合InP衬底，将该UV键合InP衬底需要CMP的表面垂直向下侵入CMP抛光浆液中进行CMP抛光；清洗抛光后的该UV键合InP衬底；以及将该UV键合InP衬底放入UV去胶机进行UV照射，去除UV粘膜。本发明采用了UV粘胶固定InP材料，采用改进的纳米聚四氟乙烯凝胶进行CMP抛光，采用N2喷射进行CMP搅拌，制作出的InP低厚度高精密抛光镜面效果，大大降低了传统CMP工艺的损伤效果。

主权项

一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法，其特征在于，包括：将InP衬底与UV粘膜键合，形成UV键合InP衬底；使用真空吸盘吸附该UV键合InP衬底，将该UV键合InP衬底需要CMP的表面垂直向下侵入CMP抛光浆液中进行CMP抛光；清洗抛光后的该UV键合InP衬底；以及将该UV键合InP衬底放入UV去胶机进行UV照射，去除UV粘膜。