| 发明名称 | NMOS和PMOS器件结构及设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了NMOS和PMOS器件结构及设计方法。NMOS器件结构中垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度也具有最小设计规则尺寸。PMOS器件结构中垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度在最小设计规则尺寸的4到7倍之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103151385A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310098874.0 | 申请日期 | 2013.03.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种NMOS器件结构，其中：垂直沟道方向的STI宽度具有最小设计规则尺寸；延沟道方向的STI宽度也具有最小设计规则尺寸。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||