一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成低k介质层，且在所述低k介质层中形成铜金属互连线；图形化所述低k介质层，并蚀刻经图形化的所述低k介质层，以在所述铜金属互连线之间形成一沟槽；形成一牺牲金属层，以填充所述沟槽，并研磨所述牺牲金属层，直至露出所述低k介质层；在所述半导体衬底上形成一覆盖层；蚀刻所述覆盖层，通过在所述覆盖层中形成一孔洞以露出所述牺牲金属层；去除所述牺牲金属层，形成一凹槽；形成一层间介质层，将所述凹槽封住以形成一气隙。根据本发明，可以控制所形成的气隙的尺寸，以在所形成的铜金属互连结构之间形成具有均一尺寸的气隙，从而改善器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成低k介质层，且在所述低k介质层中形成铜金属互连线；图形化所述低k介质层，并蚀刻经图形化的所述低k介质层，以在所述铜金属互连线之间形成一沟槽；形成一牺牲金属层，以填充所述沟槽，并研磨所述牺牲金属层，直至露出所述低k介质层；在所述半导体衬底上形成一覆盖层；蚀刻所述覆盖层，通过在所述覆盖层中形成一孔洞以露出所述牺牲金属层；去除所述牺牲金属层，形成一凹槽；形成一层间介质层，将所述凹槽封住以形成一气隙。