具有改善的厚度均匀性的外延筒形基座

摘要

一种用于在具有内部空间的加热室中支撑半导体晶片的筒形基座。每一个所述晶片具有前表面、背表面以及周边侧部。所述基座包括体，所述体具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面。每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的凹陷。每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿围绕。所述基座还包括从所述体向外延伸的多个凸缘。每一个所述凸缘位于所述凹陷中的一个中并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片。每一个所述支撑表面与各自的面的所述外表面分隔。

主权项

一种用于在具有内部空间的加热室中支撑多个半导体晶片的筒形基座，每一个所述晶片具有前表面、与所述前表面相反的背表面以及围绕所述前表面和所述背表面延伸的周边侧部，所述基座的尺寸和形状适于容纳在所述室的所述内部空间内且适于支撑所述多个半导体晶片，所述基座包括：体，其具有围绕所述体的假想中心轴设置的多个面，每一个面具有外表面和从所述外表面横向向内延伸到所述体中的多个邻近的凹陷，每一个凹陷被限定各自的凹陷的边沿围绕，其中所述邻近的凹陷中的至少两个具有不同的深度，并且其中中间凹陷与顶凹陷之间的深度差异等于所述晶片中的一个的厚度，以便在被设置在所述中间凹陷中时，该晶片的外表面与所述顶凹陷的表面基本上齐平；以及从所述体向外延伸的多个凸缘，每一个所述凸缘位于所述凹陷中的一个中并包括面朝上的支撑表面，所述支撑表面用于支撑在所述凹陷中容纳的半导体晶片，每一个所述支撑表面与各自的面的所述外表面分隔。