发明名称 纳米氧化钴的制备方法
摘要 本发明提供了一种纳米氧化钴的制备方法,包括以下步骤:用去离子水将钴原料和沉淀剂分别配成钴溶液,将配制一定浓度的钴溶液和沉淀剂溶液按一定摩尔比用包括并流加料法加入反应容器,通过控制反应温度、加料速度、pH值和搅拌速度制成钴盐前驱体,经洗涤,脱水,直接将含水滤饼装钵,再经过低温脱水相变煅烧,机械粉碎分级活化处理控制晶粒度和晶体形貌;最后进行磁性金属异物的去除,最终得到得到高品质纳米氧化钴。该方法工艺简单,易操作,成本低,节能环保,适于工业化生产,且制得的氧化钴粒度粒度细小,分布均匀。
申请公布号 CN101982421B 申请公布日期 2013.06.12
申请号 CN201010513540.1 申请日期 2010.10.21
申请人 江苏东新能源科技有限公司 发明人 戴振华;柏瑞芳;丁一东
分类号 C01G51/04(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 主分类号 C01G51/04(2006.01)I
代理机构 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人 陈忠辉
主权项 一种纳米氧化钴的制备方法,其特征在于:包括如下步骤,                 a):用去离子水将工业级硝酸钴原料配成钴含量为60g/L~80g/L的钴溶液; b):将络合剂、沉淀剂分别溶解于去离子水中,过滤配制成饱和溶液;c):将钴溶液、沉淀剂和络合剂溶液按摩尔比=1.0:1.5~4.0:0.01~0.5,用并流加料法加入反应容器,控制前驱体合成的反应温度为70℃~80℃,反应终点pH值为7.0,搅拌速度为30rpm~500rpm,以络合匀相晶化沉淀法制得钴盐的沉淀物为钴盐前驱体;d):将钴盐前驱体用60℃以上去离子水洗涤后脱水,控制滤饼含水量<30%,烘干或者直接将含水滤饼装钵;e):将钵体送入焙解炉,采用低温脱水相变煅烧的方式,将钴盐前躯体在600℃煅烧8 h,采用一步烧结或分段烧结;f):将煅烧产物经球磨粉碎机、分级机进行机械粉碎分级活化处理,控制颗粒度以及粒度分布,进行粒子表面修饰,得到高密度、单分散、类球形的纳米氧化钴,粒度分布窄,颗粒粒径100 nm~600nm;g):将步骤f)中氧化钴,通过除铁器去除磁性金属异物,控制磁性金属异物在1ppm以下,得到高品质纳米氧化钴;所述步骤b)中沉淀剂为碳酸氢铵、碳酸铵、碳酸钠、碳酸氢钠中的一种或一种以上组合物;所述络合剂为氨水、EDTA、OP、司盘中的一种;所述步骤e)中焙解炉是箱式炉、连续式炉或燃气窑炉。
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