形成半导体存储器件隔离层的方法

摘要

一种形成半导体存储器件隔离层的方法。根据本发明的一个实施方案，提供其中形成有沟槽的半导体衬底。在包括沟槽的半导体衬底上形成第一介电层。通过实施第一蚀刻工艺以除去第一介电层的一部分来加宽沟槽的开口宽度，接着进行退火工艺。通过实施第二蚀刻工艺，除去由于蚀刻和退火工艺而在所述第一介电层中形成的含氟杂质。在包括第一介电层的半导体衬底上形成第二介电层。

主权项

一种形成半导体存储器件的隔离层的方法，所述方法包括：提供其中形成具有开口宽度的沟槽的半导体衬底；在包括所述沟槽的所述半导体衬底上形成第一介电层；通过实施第一蚀刻工艺蚀刻所述第一介电层的一部分来加宽所述沟槽的开口宽度，其中所述第一蚀刻工艺包括干蚀刻工艺；在实施所述第一蚀刻工艺之后，实施退火工艺；实施第二蚀刻工艺，以除去由于所述第一蚀刻工艺和所述退火工艺而在所述第一介电层上形成的杂质；和在包括所述剩余第一介电层的所述半导体衬底上形成第二介电层。