| 发明名称 | 制作互补型金属氧化物半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，包括下列步骤：a：提供第一器件和与所述第一器件类型相反的第二器件，所述第一器件具有第一栅极，所述第二器件具有第二栅极，所述第一器件和第二器件的上方形成有第一氧化层，所述第一氧化层的上方形成有高应力层；b：以所述第一氧化层为刻蚀阻挡层并去除所述第二器件上方的所述高应力层；c：进行退火工艺；d：以所述第一氧化层为刻蚀阻挡层并去除所述第一器件上方的所述高应力层；e：在所述第二器件上方形成掩模层；f：刻蚀所述第一器件上方的所述氧化层，使所述第一器件上方的所述第一氧化层的顶部与所述第二器件上方的剩余的所述第一氧化层的顶部平齐，然后去除所述掩模层。 | ||
| 申请公布号 | CN102194749B | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201010124461.1 | 申请日期 | 2010.03.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 赵林林 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作互补型金属氧化物半导体器件的方法，包括下列步骤：a：提供第一器件和与所述第一器件类型相反的第二器件，所述第一器件具有第一栅极，所述第二器件具有第二栅极，所述第一器件和第二器件的上方形成有第一氧化层，所述第一氧化层的上方形成有高应力层；b：以所述第一氧化层为刻蚀阻挡层并去除所述第二器件上方的所述高应力层；c：进行退火工艺；d：以所述第一氧化层为刻蚀阻挡层并去除所述第一器件上方的所述高应力层；e：在所述第二器件上方形成掩模层；f：刻蚀所述第一器件上方的所述氧化层，使所述第一器件上方的所述第一氧化层的顶部与所述第二器件上方的剩余的所述第一氧化层的顶部平齐，然后去除所述掩模层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||