射频电感的电路模型

摘要

本发明公开了一种射频电感的电路模型，包括PI型电路，所述PI型电路内的低频电感与两个子电路模块彼此串联，两个子电路模块用于模拟射频电感金属线圈的趋肤效应；第二子电路模块的电路模型结构与第一子电路模块完全相同；第二子电路模块的元件参数值与第一子电路模块的元件参数值互相相关；通过不同的元件参数值来改变主支路电流，以模拟高频下电流临近效应的影响。本发明将两个描述射频电感趋肤效应的子电路模块串联在一起，能够有效地模拟电流临近效应对射频电感特性带来的影响，提高电感模型物理性，从而提高其高频拟合精度。

主权项

一种射频电感的电路模型，包括PI型电路，其特征在于：所述PI型电路内的低频电感(Lmain)与两个子电路模块彼此串联，两个子电路模块用于模拟射频电感金属线圈的趋肤效应； 第一子电路模块包括直流电阻(R11)，直流电阻(R11)的两端先并联一条电流支路，该电流支路包括相互串联的第一电感(Ls1)和第一趋肤电阻(Rs1)；在所述电流支路上的趋肤电阻(Rs1)的两端再并联一条电流支路，该电流支路包括相互串联的另一电感和另一趋肤电阻； 第二子电路模块的电路模型结构与第一子电路模块完全相同； 第二子电路模块的元件参数值与第一子电路模块的元件参数值互相相关，第一子电路模块的元件参数值为不考虑电流临近效应时的原参数值(R、Rs、Ls)乘以系数α得到，第二子电路模块的元件参数值为不考虑电流临近效应时的原参数值(R、Rs、Ls)乘以(1‑α)得到； 通过不同的元件参数值 来改变低频电感(Lmain)所在的主支路电流，以模拟高频下电流临近效应的影响； 其中，系数α的取值范围为0＜α＜1。