基板的等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。

主权项

一种基板的等离子体处理方法，包括：基板搬入工序，利用托盘将多个基板搬入到腔室内，该托盘设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部，该多个基板的每一个分别处于其缘部被基板支撑部支撑并被收容于基板收容孔的状态；基板载置工序，在腔室内，针对具有托盘支撑部和从该托盘支撑部朝上突出的多个基板保持部的基板台，在托盘支撑部上载置托盘并且在各个基板保持部上载置基板，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，向腔室内供给处理气体并且调整腔室内的压力，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，向腔室内供给处理气体并且调整腔室内的压力来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除附着于基板的缘部与基板支撑部的副生成物；和基板搬出工序，在第二等离子体处理工序结束之后，在由基板支撑部支撑了基板的缘部的状态下，将各个基板与托盘一起从腔室内搬出。