| 发明名称 | 一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面，在P型硅衬底上表面的绒面上自下而上依次设有隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层四层结构；最上一层的N-型掺杂层上设有SiN减反射膜；P型硅衬底下表面的绒面上自上而下依次设有隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN202996873U | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201220750920.1 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 浙江金贝能源科技有限公司 | 发明人 | 韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;章志娟 |
| 分类号 | H01L31/077(2012.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/077(2012.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种P型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：包括P型硅衬底，P型硅衬底上下两个表面上均设有绒面，在P型硅衬底上表面的绒面上自下而上依次设有隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N‑型掺杂层四层结构；最上一层的N‑型掺杂层上设有SiN减反射膜；P型硅衬底下表面的绒面上自上而下依次设有隔离层I、P型掺杂层、P+型掺杂层的三层结构。 | ||
| 地址 | 311500 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区石珠路288号 | ||