一种垂直双扩散场效应管及其制造工艺

摘要

本发明提供了一种垂直双扩散场效应管及其制造工艺，其工艺过程中在掺杂体区形成之后再垫积多晶硅形成栅极，虽然增加了光刻次数，但两次光刻可以采用光刻板共用的方法来降低生产成本。在耗尽型垂直双扩散场效应管的制造工艺中，耗尽管沟道注入为非自对准注入，这样有效的保证了垂直双扩散场效应管的击穿电压不会下降，同时解决了漏电问题。

主权项

一种垂直双扩散场效应管（VDMOS）的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤，（1）在外延结构的表面形成隔离场氧化层，并对形成垂直双扩散场效应管的有源区域进行刻蚀；（2）对所述有源区域注入第一掺杂物并扩散以形成掺杂体区；（3）在所述有源区域的表面形成栅氧化层（4）在所述栅氧化层的表面沉积多晶硅并进行刻蚀形成栅极；（5）在所述掺杂体区中对应所述栅极端部的位置注入第二掺杂物形成源极，所述第二掺杂物与所述第一掺杂物的类型相反；（6）在所述栅极之间形成接触孔，并向接触孔内注入第三掺杂物，所述第三掺杂物与所述第一掺杂物的类型相同；（7）在整个芯片表面进行铝淀积和铝刻蚀；（8）在整个芯片的表面覆盖钝化层，并开出用以焊接的压点区域。