| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区和PMOS区，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源/漏区；在所述半导体衬底上形成一氧化物层以覆盖所述栅极结构，并在所述氧化物层上形成一牺牲层；蚀刻所述牺牲层，以露出所述栅极结构顶部的所述氧化物层；去除所述栅极结构顶部的所述氧化物层，并去除剩余的所述牺牲层；在所述氧化物层上形成一氮化硅层以覆盖所述栅极结构；蚀刻所述PMOS区中源/漏区上方的所述氮化硅层和所述氧化物层以及所述半导体衬底，以在所述PMOS区的源/漏区中形成一凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，可以将嵌入式锗硅工艺更好地集成到整个半导体制程中。 | ||
| 申请公布号 | CN103151311A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201110400078.9 | 申请日期 | 2011.12.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;隋运奇 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有NMOS区和PMOS区，且在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源/漏区；在所述半导体衬底上形成一氧化物层以覆盖所述栅极结构，并在所述氧化物层上形成一牺牲层；蚀刻所述牺牲层，以露出所述栅极结构顶部的所述氧化物层；去除所述栅极结构顶部的所述氧化物层，并去除剩余的所述牺牲层；在所述氧化物层上形成一氮化硅层以覆盖所述栅极结构；蚀刻所述PMOS区中源/漏区上方的所述氮化硅层和所述氧化物层以及所述半导体衬底，以在所述PMOS区的源/漏区中形成一凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||