| 发明名称 | 相变存储器的数据写入方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变存储器的数据写入方法及装置，包括：将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据，采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理，获得多组备选数据，其中，每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等，N为自然数；计算每一组备选数据存储至目标地址的能量损耗值，得到多个能量损耗值；令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据，采用上述方法，可以减小相变存储器写入数据时的能量损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN103151072A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310105405.7 | 申请日期 | 2013.03.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孙健;陈岚;郝晓冉 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种相变存储器的数据写入方法，其特征在于，包括：将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据，采用多种不同的预处理方式对所述源数据进行预处理，获得多组备选数据，其中，每一组备选数据的位数与所述源数据的位数N相等，所述N为自然数；计算所述每一组备选数据存储至所述目标地址的能量损耗值，得到多个能量损耗值；令所述目标地址存储所述多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||