| 发明名称 | 一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀性，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103147118A | 申请公布日期 | 2013.06.12 |
| 申请号 | CN201310057877.X | 申请日期 | 2013.02.25 |
| 申请人 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 发明人 | 乔柳;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;王遵义;涂颂昊;刘铮;冯啸桐;孙昊 |
| 分类号 | C30B13/28(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B13/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人 | 李莉华 |
| 主权项 | 一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法，其特征在于：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号 | ||