具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明实施例提出了一种具有悬空源漏的器件结构，包括：Si衬底；形成在所述Si衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙，所述间隙小于50nm；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空薄层，其中，所述凸起结构为沟道，所述凸起结构两侧的悬空薄层为源极和漏极；和形成在所述凸起结构之上的栅堆叠。本发明实施例采用悬空的源漏结构，一方面使得源漏中掺杂杂质向衬底的扩散被抑制，从而易制备超浅结，另一方面由于源漏及衬底之间不存在接触，因此还可以抑制源漏与衬底之间的BTBT漏电。

主权项

一种具有悬空源漏的器件结构，其特征在于，包括：Si衬底；形成在所述Si衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙，所述间隙小于50nm；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空薄层，所述悬空薄层的厚度小于10nm，所述悬空薄层通过对所述多个凸起结构退火形成，所述退火温度为800‑1350度，且在退火时气氛中含有氢气，其中，所述凸起结构为沟道，所述凸起结构两侧的悬空薄层为源极和漏极；和形成在所述凸起结构之上的栅堆叠。