一种晶圆级封装的红外焦平面阵列器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种晶圆级封装的红外焦平面阵列器件及其制造方法，其包括第一衬底及第二衬底；第一衬底内设有至少一个凹槽，在凹槽的内壁及第一衬底表面覆盖有工艺阻挡层；凹槽的槽口设有共振吸收结构，共振吸收结构包括红外吸收层及反射层，反射层邻近第二衬底，且红外吸收层与反射层间设置折射介质层；在共振吸收结构的外圈依次设置形变梁、绝热梁、散热架体及吸气剂；散热架体通过绝热梁、形变梁与共振吸收结构对应连接配合；在吸气剂的外圈设置第一衬底焊料，第一衬底焊料与第二衬底上的第二衬底焊料相对应，且第一衬底与第二衬底通过第一衬底焊料及第二衬底焊料真空焊接固定连成一体。本发明结构紧凑，与IC工艺相兼容，检测精度高，制造方便。

主权项

一种晶圆级封装的红外焦平面阵列器件，包括第一衬底（101）及位于所述第一衬底（101）下方的第二衬底（201）；所述第一衬底（101）内设有至少一个凹槽，在所述凹槽的内壁及第一衬底（101）表面覆盖有工艺阻挡层（103）；在所述凹槽的槽口设有共振吸收结构，所述共振吸收结构包括红外吸收层（104）及位于所述红外吸收层（104）下方的反射层（109），所述反射层（109）邻近第二衬底（201），且红外吸收层（104）与反射层（109）间设置折射介质层（107）；其特征是：在共振吸收结构的外圈依次设置形变梁（106）、绝热梁（105）、散热架体（108）及吸气剂（111）；散热架体（108）通过绝热梁（105）、形变梁（106）与共振吸收结构对应连接配合；在所述吸气剂（111）的外圈设置第一衬底焊料（112），所述第一衬底焊料（112）与第二衬底（201）上的第二衬底焊料（202）相对应，且第一衬底（101）与第二衬底（201）通过第一衬底焊料（112）及第二衬底焊料（202）真空焊接固定连成一体。