去除光致抗蚀剂的方法和装置

摘要

从晶片上去除光致抗蚀剂的方法和设备。提供包含有硫(S)、氧(O)和氢(H)的工艺气体，且在第一腔室中由所述工艺气体产生等离子体。富含自由基且少离子的反应介质从第一腔室流至放置有晶片的第二腔室。采用所述反应介质去除晶片上的图案化的光致抗蚀剂层，然后停止所述反应介质流进所述第二腔室。可在设置在从等离子体向下流的反应介质的通道中的溶剂化区中引入水蒸汽，使得在反应介质到达所述晶片之前所述水蒸汽溶剂化反应介质，以形成溶剂化的团簇物质。采用溶剂化反应介质去除光致抗蚀剂。

主权项

用于从晶片上去除光致抗蚀剂的方法，所述方法包括：提供包含有硫（S）、氧（O）和氢（H）的工艺气体；在第一腔室中由所述工艺气体产生等离子体；富含自由基且少离子的反应介质从第一腔室流至放置有晶片的第二腔室，所述晶片在其上具有图案化的光致抗蚀剂层；采用所述反应介质去除所述图案化的光致抗蚀剂层；和停止所述反应介质流进所述第二腔室。