半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中在衬底上制造存储晶体管和多个薄膜晶体管，其具有不同厚度的栅绝缘膜。本发明的特征在于该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管之间的结构差异。具体地，该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管的一些被设置为具有底栅结构，而其它薄膜晶体管设置为具有顶栅结构，这使得能够减小晶体管的特性缺陷并简化其制造工艺。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一导电膜和第二导电膜；在第一导电膜和第二导电膜上形成第一绝缘膜；去除在第一导电膜上形成的第一绝缘膜，使得第一绝缘膜留在第二导电膜上；在第一导电膜和第二导电膜上形成第二绝缘膜；在第一导电膜上形成电荷积聚层，第二绝缘膜插入在第一导电膜和电荷积聚层之间，使得电荷积聚层与第二导电膜不交叠；在电荷积聚层上形成第三绝缘膜，使得第三绝缘膜与第二导电膜不交叠；在第三绝缘膜上形成与第一导电膜交叠的第一半导体膜；在第二绝缘膜上形成与第二导电膜交叠的第二半导体膜、以及既不与第一导电膜也不与第二导电膜交叠的第三半导体膜；在第一半导体膜、第二半导体膜以及第三半导体膜上形成第四绝缘膜；以及在第三半导体膜上形成第三导电膜，第四绝缘膜插入在第三半导体膜和第三导电膜之间。